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          主体参数

          电源电压(V)
          5
          电源抑制比PSRR(db)
          95
          输入失调电压Vos(V)
          0.0015
          大信号电压增益Avo(V/mA)
          0.0001
          封装规格
          8-SOIC
          输入偏置电流Ib(A)
          0.0000048
          共模抑制比CMRR(db)
          81到95
          规格型号(MPN)
          THS2630DR
          高输出电压(V)
          35
          工作温度范围(℃)
          -40到85

          包装清单

          暂无

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