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    VBSEMIIPB60R950C6-VB
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    微碧半导体(VBSEMI)IPB60R950C6-VB TO-263 N沟道650V10A场效应管电子元器件芯片MOS管样品批量可谈
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    试用
    元器件 微碧半导体(VBSEMI)IPB60R950C6-VB TO-263 N沟道650V10A场效应管电子元器件芯片MOS管样品批量可谈
    品牌名称

    VBSEMI

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    微碧半导体(VBSEMI)IPB60R950C6-VB TO-263 N沟道650V10A场效应管电子元器件芯片MOS管样品批量可谈
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    • 商品名称:VBSEMIIPB60R950C6-VB
    • 商品编号:100105938826
    • 货号:IPB60R950C6-VB
    • 行业应用:消费

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      主体

      连续漏极电流Id(A,@25℃或者100℃)
      10A
      沟道类型
      N沟道
      栅源阈值电压Vgs(V)
      标准
      耗散功率Pd(W)
      167/52W
      漏源电压Vdss(V)
      650V
      规格型号(MPN)
      IPB60R950C6-VB
      导通电阻Rds(Ω,@25℃、10V最大、典型值)
      1100mΩ@VGS=10V
      输入电容 Ciss(F)
      标准
      应用级别
      消费
      栅极电荷 Qg(C)
      标准
      工作温度范围(℃)
      -55+150
      封装规格
      TO-263
      ECCN
      标准

      包装清单

      一个盒子

      售后保障

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