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    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚 1个/包 广铁
    • Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚 1个/包 广铁
    试用
    元器件 Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚 1个/包 广铁
    品牌名称

    INFINEON

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        Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚 1个/包 广铁
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        • 商品名称:INFINEON5409783
        • 商品编号:100093973022
        • 行业应用:工业

        更多参数>>




          主体

          沟道类型
          其他
          连续漏极电流Id(A,@25℃或者100℃)
          其他
          栅源阈值电压Vgs(V)
          2V-4V
          导通电阻Rds(Ω,@25℃、10V最大、典型值)
          其他
          漏源电压Vdss(V)
          其他
          工作温度范围(℃)
          +175 °C
          规格型号(MPN)
          IRF3205PBF

          包装清单

          1个/包

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